NCD57001FDWR2G
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
NCD57001FDWR2G
По запросу
Описание
ON SEMICONDUCTOR - NCD57001FDWR2G - Gate Driver, 1 канал(-ов), Полумост, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 16 вывод(-ов), WSOIC
Номенклатурный номер
OC3463944
Условия
Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросу
NCD57001FDWR2G характеристики:
| Power Switch Type | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |
| Линейка Продукции | - |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 |
| Количество Выводов | 16 |
| Sink Current | 7.1 |
| Количество Каналов | 1 |
| Source Current | 7.8 |
| Пиковый Выходной Ток | 7.1 |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 |
| Задержка по Входу | 60 |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Задержка Выхода | 66 |
| Input Type | Inverting, Non-Inverting |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Стиль Корпуса Привода | WSOIC |
| Максимальное Напряжение Питания | 5.5 |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.4 |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
