FF600R12ME4B72BOSA1
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
FF600R12ME4B72BOSA1
3 шт.
48906.36 ₽
Описание
INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 600 А, 1.75 В, 175 °C, Module
Номенклатурный номер
OC3227669
Условия
Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги
Срок поставки: 4-7 недель
-
1+48906.36 ₽
-
5+46897.02 ₽
-
10+44887.68 ₽
FF600R12ME4B72BOSA1 характеристики:
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75 |
| Количество Выводов | 11 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2 |
| Линейка Продукции | EconoDUAL3 Series |
| IGBT Configuration | Dual [Half Bridge] |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175 |
| IGBT Termination | Stud |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 |
| IGBT Technology | IGBT 4 [Trench/Field Stop] |
| DC Ток Коллектора | 600 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Рассеиваемая Мощность | - |
| Производитель | INFINEON |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
