HGTP12N60A4D
Срок поставки: 10-15 рабочих дней
HGTP12N60A4D
По запросу
Описание
ON SEMICONDUCTOR - HGTP12N60A4D - БТИЗ транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Номенклатурный номер
OC1057676
Условия
Cрок поставки и цену сообщим по вашему запросу
HGTP12N60A4D характеристики:
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 |
| Количество Выводов | 3 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Рассеиваемая Мощность | 167 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| DC Ток Коллектора | 54 |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.7 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |
Бесплатная доставка
при заказе от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или до ближайшего пункта выдачи в вашем городе
